Серия 1114

Серия 1114

Габаритные чертежи корпусов микросхем

1114EУ1, К1114ЕУ1
Диапазон напряжения питания (Uпит, B)   от 10 до 20
Входное коммутируемое напряжение (Uком.вх., B) 1114ЕУ1, К1114ЕУ1А 36
К1114ЕУ1Б 32
Выходной ток (Iвых, мA) 1114ЕУ1, К1114ЕУ1А 100
80
К1114ЕУ1Б
Максимально рассеиваемая мощность (Pрас, Bт)   0,55
Частота коммутаций (fком, кГц)   от 1,0 до 200,0
Металлокерамический корпус   4118.24-1
Масса ( не более), (г)   1,9
Рабочая температура корпуса 1114ЕУ1 +125°С -60°С
K1114ЕУ1А,Б +85°С -45°С
 

1114ЕУ1 К1114ЕУ1А

К1114ЕУ1Б
Остаточное напряжение Uост (B) (Uпит=12B, Uком.вх.=10B, Iвых=100мА, fком=10 кГц ) 1.5 1.5
Ток потребления Iпот (мА) (Uпит=12B, Uком.вх.=10B) 30 40
Длительность фронта импульса выходного тока tф(нс) (Uпит=12B, Uком.вх.=10B, Iвых=100мА, fком=200 кГц ) 100 150
Длительность среза импульса выходного тока tс(нс) (Uпит=12B, Uком.вх.=10B, Iвых=100мА, fком=200 кГц ) 100 150
Температурный коэффициент опорного напряжения aUоп(нс) (% / °С) (Uпит=12B, Uком.вх.=10B) 0.015 0.03
Опорное напряжение Uоп (B) (Uпит=12B, Uком.вх.=10B) от 2.0 до 3.0 от 1.8 до 2.8
Нестабильность по напряжению источника опорного напряжения КUоп (% / B) (Uпит=20B) 0.2 0.3
Напряжение гистерезиса Uгист(мВ) (Uпит=12B, Uком.вх.=10B, Iвых=100мА, fком=10 кГц ) 100 100
Ток закрытой микросхемы Iз(мкА) (Uпит=20B, Uком.вх.=36B) 20 50
Коэффициент усиления напряжения усилителя рассогласования Ку(U) (Uпит=12B, Uком.вх.=10B) 100 100
Параметры указаны для нормальной температуры окружающей среды

1114EУ3, К1114ЕУ3
Диапазон напряжения питания узла опорного устройства (Uпит, B)   9-36
Входное коммутируемое напряжение (Uком.вх., B)   2-40
Выходной ток (Iвых, мA)   <=200
Частота коммутаций (fком, Kгц)   4-400
Максимально рассеиваемая мощность (Pрас, Bт)   0,8
Металлокерамический корпус   402.16-1
Масса ( не более), (г)   1,4
Рабочая температура корпуса 1114ЕУ3 +125°С -60°С
K1114ЕУ3 +100°С -10°С
 

1114ЕУ3

 К1114ЕУ3
Остаточное напряжение Uост (B) (Uпит=9B, Uком.вх.=10B) 1.5 1.5
Ток потребления Iпот (мА) (Uпит=36B, Uком.вх.=10B) 15 15
Длительность фронта импульса выходного тока tф(нс) (Uпит=9B, Uком.вх.=10B, Iвых=200мА, fком=400 кГц ) 200 200
Длительность среза импульса выходного тока tс(нс) (Uпит=9B, Uком.вх.=10B, Iвых=200мА, fком=400 кГц ) 200 200
Температурный коэффициент опорного напряжения aUоп(нс) (% / °С) (Uпит=9B, Uком.вх.=10B) 0.01 0.015
Опорное напряжение Uоп (B) (Uпит=9B, Uком.вх.=10B) от 4.7 до 5.3 от 4.6 до 5.4
Нестабильность по напряжению источника опорного напряжения КUоп (% / B) (Uпит=9B, Uком.вх.=10B) 0.05 0.05
Ток закрытой микросхемы Iз(мкА) (Uпит=9B, Uком.вх.=40B) 50 100
Параметры указаны для нормальной температуры окружающей среды